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　　日前，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所與東京大學(xué)聯(lián)合研制出了采用強電介質(zhì)柵極電場效應(yīng)晶體管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND閃存存儲單元?？刹翆?億次以上，寫入電壓為6V以下。
　　而此前的NAND閃存存儲單元只能擦寫1萬次，且寫入電壓為20V，以往的NAND閃存只能微細(xì)化到30nm左右，而此次的存儲單元技術(shù)還可以支持將來的20nm和10nm工藝技術(shù)。